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HN4B01JE(TE85L,F)

Toshiba

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.15 A。
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PN2907A-T

Rectron · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、连续集电极电流 0.8 A、耗散功率（Pd） 625 mW、单件重量 0.016000 oz，采用 TO-92-3 封装。
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2SA1362-GR(T5L,F,T

Toshiba · 封装：SOT-346-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 15 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.8 A，采用 SOT-346-3 封装。
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2N1893S

Microchip / Microsemi · 封装：TO-5-3

该型号为晶体管，采用 TO-5-3 封装。
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JAN2N4029

Microchip / Microsemi · 封装：Si

该型号为晶体管，采用 Si 封装。
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