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199,570 条型号记录
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Jan2N2219AL/TR

Microchip / Microsemi · 封装:TO-5-3

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V、集电极-基极电压(VCBO) 75 V、发射极-基极电压(VEBO) 6 V,采用 TO-5-3 封装。

2N1717

Microchip / Microsemi · 封装:TO-5-3

该型号为晶体管,采用 TO-5-3 封装。

Jantx2N2219AL/TR

Microchip / Microsemi · 封装:TO-5-3

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V、集电极-基极电压(VCBO) 75 V、发射极-基极电压(VEBO) 6 V,采用 TO-5-3 封装。

2N3418S

Microchip / Microsemi · 封装:TO-5-3

该型号为晶体管,采用 TO-5-3 封装。

2N3737UB

Microchip / Microsemi · 封装:SMD-4

该型号为晶体管,采用 SMD-4 封装。

JANTX2N3440L

Microchip / Microsemi · 封装:Si

该型号为晶体管,采用 Si 封装。

2N3468L

Microchip / Microsemi · 封装:TO-5-3

该型号为晶体管,采用 TO-5-3 封装。

2SC6026CT-GR

Toshiba · 封装:FSM-3

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V、集电极-基极电压(VCBO) 60 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V、增益带宽积(fT) 60 MHz,采用 FSM-3 封装。

2SC6026CT-Y(TPL3)

Toshiba · 封装:FSM-3

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V、集电极-基极电压(VCBO) 60 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V、增益带宽积(fT) 60 MHz,采用 FSM-3 封装。

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