2N5151L
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。Microchip / Microsemi · 封装:TO-5-3
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V、集电极-基极电压(VCBO) 75 V、发射极-基极电压(VEBO) 6 V,采用 TO-5-3 封装。Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。Microchip / Microsemi · 封装:TO-5-3
该型号为晶体管,采用 TO-5-3 封装。Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。Microchip / Microsemi · 封装:TO-5-3
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V、集电极-基极电压(VCBO) 75 V、发射极-基极电压(VEBO) 6 V,采用 TO-5-3 封装。Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。Microchip / Microsemi · 封装:TO-5-3
该型号为晶体管,采用 TO-5-3 封装。Microchip / Microsemi · 封装:SMD-4
该型号为晶体管,采用 SMD-4 封装。Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。Microchip / Microsemi · 封装:Si
该型号为晶体管,采用 Si 封装。Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。Microchip / Microsemi · 封装:TO-5-3
该型号为晶体管,采用 TO-5-3 封装。Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。Toshiba · 封装:FSM-3
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V、集电极-基极电压(VCBO) 60 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V、增益带宽积(fT) 60 MHz,采用 FSM-3 封装。Toshiba · 封装:FSM-3
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V、集电极-基极电压(VCBO) 60 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V、增益带宽积(fT) 60 MHz,采用 FSM-3 封装。STMicroelectronics
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