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199,570 条型号记录
每页 20 条

2N2880

Microchip / Microsemi · 封装：TO-59-3

该型号为晶体管，采用 TO-59-3 封装。
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PN2906A

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 PBFREE PN2906A，采用 TO-92-3 封装。
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CM5583

Central Semiconductor · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 CM5583 PBFREE，采用 TO-39-3 封装。
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CP191V-2N2222A-CT20

Central Semiconductor · 封装：Die

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 Die 封装。
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2SA1163-GRTE85LF

Toshiba · 封装：SC-59-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 120 V、集电极－基极电压（VCBO） - 120 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.3 V，采用 SC-59-3 封装。
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2SA2154MFV-Y(TPL3)

Toshiba · 封装：VESM-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、最大直流集电极电流 0.15 A，采用 VESM-3 封装。
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CJD200 TR13

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括商品名称 DPAK POWER。
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2SC6026MFV-Y(TPL3)

Toshiba · 封装：CST-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.15 A，采用 CST-3 封装。
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2SC5948-O(Q)

Toshiba · 封装：TO-3P-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 200 V、集电极－基极电压（VCBO） 200 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 12 A，采用 TO-3P-3 封装。
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