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2N3498L

Microchip / Microsemi · 封装：TO-5-3

该型号为晶体管，采用 TO-5-3 封装。
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2N3637L

Microchip / Microsemi · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，采用 TO-39-3 封装。
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Jan2N2222AUB/TR

Microchip / Microsemi · 封装：LCC-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 LCC-3 封装。
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CMBT2222A-T

Rectron · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 SOT-23-3 封装。
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2SA2154MFV-GR(TPL3

Toshiba · 封装：VESM-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、最大直流集电极电流 0.15 A，采用 VESM-3 封装。
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MPSA42-T

Rectron · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、连续集电极电流 0.5 A、单件重量 0.016000 oz，采用 TO-92-3 封装。
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