2N3741A
Microchip / Microsemi · 封装：TO-66-2
该型号为晶体管，采用 TO-66-2 封装。分立与功率器件
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
199,570 条型号记录2SA1586-Y(TE85L,F)
Toshiba
该型号为晶体管。2SC5886A(T6L1,NQ)
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。2SA2120-O(Q)
Toshiba · 封装：TO-3P-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 200 V、集电极－基极电压（VCBO） 200 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 12 A，采用 TO-3P-3 封装。2SC4207-Y(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SOT-353-5
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.15 A，采用 SOT-353-5 封装。JANTXV2N3440
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。2N1700
Microchip / Microsemi · 封装：TO-5-3
该型号为晶体管，采用 TO-5-3 封装。2SC5712(TE12L,F)
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 0.14 V、最大直流集电极电流 3 A。2SC5810(TE12L,F)
Toshiba · 封装：SC-62-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 0.17 V，采用 SC-62-3 封装。2N5785
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。2SC4944-GR(TE85L,F
Toshiba · 封装：SOT-346-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.15 A，采用 SOT-346-3 封装。JANSR2N3501UB
Microchip / Microsemi · 封装：Si
该型号为晶体管，采用 Si 封装。2N1482
Microchip / Microsemi · 封装：TO-5-3
该型号为晶体管，采用 TO-5-3 封装。2N5683
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。2SC6026MFV-GR(TPL3
Toshiba · 封装：CST-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.15 A，采用 CST-3 封装。2N5879
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。2N5882
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。2SA2121-O(Q)
Toshiba · 封装：TO-264-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 200 V、集电极－基极电压（VCBO） - 200 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 1.5 V，采用 TO-264-3 封装。2N5301
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。BC857C TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 BC857C TIN/LEAD TR，采用 SOT-23 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。