2SC5242-O(Q)
Toshiba · 封装：TO-3P-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 230 V、集电极－基极电压（VCBO） 230 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 TO-3P-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录2N706A
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。2N1016B
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。2SC5692(TE85L,F)
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。2SC5949-O(Q)
Toshiba · 封装：TO-3P-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 200 V、集电极－基极电压（VCBO） 200 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 TO-3P-3 封装。2N1481
Microchip / Microsemi · 封装：TO-5-3
该型号为晶体管，采用 TO-5-3 封装。2SA1618-GR(TE85L,F
Toshiba · 封装：SOT-25-5
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、最大直流集电极电流 0.15 A，采用 SOT-25-5 封装。2N5336
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。2N1479
Microchip / Microsemi · 封装：TO-5-3
该型号为晶体管，采用 TO-5-3 封装。2N5878
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。2N4238
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。2N6340
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。2N657A
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。2N3420
Microchip / Microsemi · 封装：TO-5-3
该型号为晶体管，采用 TO-5-3 封装。2SC2712-Y(TE85L,F)
Toshiba · 封装：USM-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.15 A，采用 USM-3 封装。2N5784
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。2N5786
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。2SC2712-GR(TE85L,F
Toshiba · 封装：2-3F1A
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.1 V，采用 2-3F1A 封装。CMLT2207
Central Semiconductor · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V, 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V, 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 1 V, 1.6 V，采用 SOT-563-6 封装。2N6316
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。