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型号列表

199,570 条型号记录
每页 20 条

2N3741

Microchip / Microsemi · 封装:TO-66-2

该型号为晶体管,采用 TO-66-2 封装。

2N3440

Microchip / Microsemi · 封装:TO-39-3

该型号为晶体管,采用 TO-39-3 封装。

ST13003

STMicroelectronics · 封装:SOT-32-3

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 400 V、集电极-基极电压(VCBO) 700 V、发射极-基极电压(VEBO) 9 V、集电极-发射极饱和电压 0.5 V,采用 SOT-32-3 封装。

BC856

Rectron · 封装:SOT-23-3

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 65 V、集电极-基极电压(VCBO) 80 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V,采用 SOT-23-3 封装。

MPSA92

Rectron · 封装:TO-92-3

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN,采用 TO-92-3 封装。

MPSA42

Rectron · 封装:TO-92-3

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN,采用 TO-92-3 封装。

MMBT5550

Rectron · 封装:SOT-23-3

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 140 V、集电极-基极电压(VCBO) 160 V、发射极-基极电压(VEBO) 6 V、集电极-发射极饱和电压 0.25 V,采用 SOT-23-3 封装。

MMBT4401

Rectron · 封装:SOT-23-3

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 40 V、集电极-基极电压(VCBO) 60 V、发射极-基极电压(VEBO) 6 V、集电极-发射极饱和电压 0.8 V,采用 SOT-23-3 封装。

MMBT4403

Rectron · 封装:SOT-23-3

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) - 40 V、集电极-基极电压(VCBO) - 40 V、发射极-基极电压(VEBO) - 5 V、集电极-发射极饱和电压 - 0.4 V,采用 SOT-23-3 封装。

PN2222A

Rectron · 封装:TO-92-3

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 40 V、集电极-基极电压(VCBO) 75 V、发射极-基极电压(VEBO) 6 V、集电极-发射极饱和电压 1 V,采用 TO-92-3 封装。

PN2907A

Rectron · 封装:TO-92-3

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP,采用 TO-92-3 封装。

2N3716

Microchip / Microsemi · 封装:TO-3

该型号为晶体管,主要参数包括单件重量 0.225789 oz,采用 TO-3 封装。

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