2N5680
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。Microchip / Microsemi · 封装:TO-66-2
该型号为晶体管,采用 TO-66-2 封装。Microchip / Microsemi · 封装:TO-39-3
该型号为晶体管,采用 TO-39-3 封装。STMicroelectronics · 封装:SOT-32-3
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 400 V、集电极-基极电压(VCBO) 700 V、发射极-基极电压(VEBO) 9 V、集电极-发射极饱和电压 0.5 V,采用 SOT-32-3 封装。Rectron · 封装:SOT-23-3
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 65 V、集电极-基极电压(VCBO) 80 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V,采用 SOT-23-3 封装。Rectron · 封装:TO-92-3
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN,采用 TO-92-3 封装。Rectron · 封装:TO-92-3
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN,采用 TO-92-3 封装。Rectron · 封装:SOT-23-3
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 140 V、集电极-基极电压(VCBO) 160 V、发射极-基极电压(VEBO) 6 V、集电极-发射极饱和电压 0.25 V,采用 SOT-23-3 封装。Rectron · 封装:SOT-23-3
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 40 V、集电极-基极电压(VCBO) 60 V、发射极-基极电压(VEBO) 6 V、集电极-发射极饱和电压 0.8 V,采用 SOT-23-3 封装。Rectron · 封装:SOT-23-3
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) - 40 V、集电极-基极电压(VCBO) - 40 V、发射极-基极电压(VEBO) - 5 V、集电极-发射极饱和电压 - 0.4 V,采用 SOT-23-3 封装。Rectron
该型号为晶体管。Rectron · 封装:TO-92-3
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 40 V、集电极-基极电压(VCBO) 75 V、发射极-基极电压(VEBO) 6 V、集电极-发射极饱和电压 1 V,采用 TO-92-3 封装。Rectron · 封装:TO-92-3
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP,采用 TO-92-3 封装。Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。Microchip / Microsemi · 封装:TO-3
该型号为晶体管,主要参数包括单件重量 0.225789 oz,采用 TO-3 封装。Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。