TSA894CT
Taiwan Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录TSC966CT A3
Taiwan Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。MMBT3904L RF
Taiwan Semiconductor
该型号为晶体管。TIP112-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 4 A、最大工作温度 + 150 C、连续集电极电流 2 A，采用 TO-220-3 封装。TSC5304EDCH C5G
Taiwan Semiconductor · 封装：TO-251-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 700 V、发射极－基极电压（VEBO） 9 V，采用 TO-251-3 封装。BC817-16
Taiwan Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。BC546B
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 BC546B PBFREE、单件重量 0.016000 oz，采用 TO-92-3 封装。BC858B
Taiwan Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。BC807-16
Taiwan Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。BC846B
Taiwan Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-323-3 封装。TSC5304DCH C5G
Taiwan Semiconductor · 封装：TO-251-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 700 V、发射极－基极电压（VEBO） 9 V，采用 TO-251-3 封装。340S14-UR
THAT · 封装：SO-14
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Quad、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SO-14 封装。TSC5802DCH C5GG
Taiwan Semiconductor
该型号为晶体管。TSC5804DCH C5G
Taiwan Semiconductor · 封装：TO-251-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 450 V、集电极－基极电压（VCBO） 1050 V、发射极－基极电压（VEBO） 15 V，采用 TO-251-3 封装。DCP56-16-13
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 SOT-223-4 封装。2SD1760TLR
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 3 A。DCP69A-13
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 SOT-223-4 封装。SST6839T216
ROHM Semiconductor · 封装：SST-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 40 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.5 V，采用 SST-3 封装。2SD1758TLR
ROHM Semiconductor · 封装：CPT-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 32 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 CPT-3 封装。2SD2318TLV
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 3 A。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。