TIP125-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、最大直流集电极电流 - 8 A、最大工作温度 + 150 C、连续集电极电流 - 5 A，采用 TO-220-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录TSC5304EDCP RO
Taiwan Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。TSC5304DCP ROG
Taiwan Semiconductor · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 700 V、发射极－基极电压（VEBO） 9 V，采用 TO-252-3 封装。TSC5303DCP RO
Taiwan Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。300AS14-UR
THAT
该型号为晶体管。TIP110-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 4 A、最大工作温度 + 150 C、连续集电极电流 2 A，采用 TO-220-3 封装。TIP111-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大工作温度 + 150 C，采用 TO-220-3 封装。TSA884CX RF
Taiwan Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。TSC742CZ C0G
Taiwan Semiconductor · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 420 V、集电极－基极电压（VCBO） 1050 V、发射极－基极电压（VEBO） 15 V，采用 TO-220-3 封装。TSC5802DCP ROG
Taiwan Semiconductor · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 450 V、集电极－基极电压（VCBO） 1050 V、发射极－基极电压（VEBO） 15 V，采用 TO-252-3 封装。TSC741CZ C0G
Taiwan Semiconductor · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 450 V、集电极－基极电压（VCBO） 1050 V、发射极－基极电压（VEBO） 15 V，采用 TO-220-3 封装。TIP31B-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 3 A，采用 TO-220-3 封装。TIP31A-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 5 A、最大工作温度 + 150 C、连续集电极电流 3 A，采用 TO-220-3 封装。TIP32A-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、最大直流集电极电流 - 5 A、最大工作温度 + 150 C、连续集电极电流 - 3 A，采用 TO-220-3 封装。TIP29A-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 TO-220-3 封装。300BS14-UR
THAT
该型号为晶体管。320S14-UR
THAT
该型号为晶体管。TSC5804DCP ROG
Taiwan Semiconductor · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 450 V、集电极－基极电压（VCBO） 1050 V、发射极－基极电压（VEBO） 15 V，采用 TO-252-3 封装。TSC5988CT
Taiwan Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。TSC5802DCH C5G
Taiwan Semiconductor · 封装：TO-251-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 450 V、集电极－基极电压（VCBO） 1050 V、发射极－基极电压（VEBO） 15 V，采用 TO-251-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。