2N4231A
Central Semiconductor · 封装：TO-66-2
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-66-2 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录TIP31 SL
Central Semiconductor · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-220-3 封装。TIP29B PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-220-3 封装。MPS650 H
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 MPS650。MPS6519 PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V，采用 TO-92-3 封装。CMPT4209 BK
Central Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。CXT5401 BK
Central Semiconductor
该型号为晶体管。CMXT2907A TR PBFREE
Central Semiconductor · 封装：SOT-26-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-26-6 封装。2N6313
Central Semiconductor · 封装：TO-66-2
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-66-2 封装。CMUT5551 BK
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括商品名称 UltraMini。TIP41C SL
Central Semiconductor · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-220-3 封装。CBCP69
Central Semiconductor · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1 A、增益带宽积（fT） 65 MHz，采用 SOT-223-4 封装。TIP31C SL
Central Semiconductor · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-220-3 封装。MPS6566 PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V，采用 TO-92-3 封装。BC847BT-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-523-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-523-3 封装。TSC5304EDCH C5
Taiwan Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。TSC5303DCH C5
Taiwan Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。TSA1765CW RP
Taiwan Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。TIP101-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 8 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TO-220-3 封装。TIP116-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最小工作温度 - 55 C，采用 TO-220-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。