TSA884CX RFG
Taiwan Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 500 V、集电极－基极电压（VCBO） - 500 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 SOT-23-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录BCX56-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-89-3 封装。2N5401-AP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 160 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.6 A，采用 TO-92-3 封装。D965-R
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 22 V、集电极－基极电压（VCBO） 42 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-92-3 封装。MMBT2222A RF
Taiwan Semiconductor
该型号为晶体管。BC847C-G
Comchip Technology · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-23-3 封装。PZT2222A-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-223-4 封装。TIP127-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 100 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、最大直流集电极电流 - 8 A、最大工作温度 + 150 C、连续集电极电流 - 5 A，采用 TO-220-3 封装。MMS8550-L-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） - 40 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.6 V，采用 SOT-23-3 封装。MMDT3906V-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 SOT-563-6 封装。BC847W-G
Comchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 BC847AW-G。BC327-16-AP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大工作温度 + 150 C、连续集电极电流 - 0.8 A、耗散功率（Pd） 625 mW、单件重量 0.016000 oz，采用 TO-92-3 封装。DMMT3906-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.2 A，采用 SOT-363-6 封装。2N5195 SL H
Central Semiconductor
该型号为晶体管。CEN1357
Central Semiconductor
该型号为晶体管。CM4209
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、型号别名 BK CM4209。BC337-25 TRE
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92-3 封装。PN3564
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V、集电极－发射极饱和电压 0.3 V、最大直流电流增益（hFE） 200，采用 TO-92-3 封装。CJD32CBK
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括商品名称 DPAK POWER、型号别名 BK CJD32CBK。2N2368 PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-18-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 4.5 V，采用 TO-18-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。