ChipSourceHub 美芯科技
English发起询盘

分立与功率器件

按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。

型号列表

199,570 条型号记录
每页 20 条

MPS3393

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最小工作温度 - 65 C，采用 TO-92-3 封装。
查看资料 询价

2N6486 PBFREE

Central Semiconductor · 封装：TO-220-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-220-3 封装。
查看资料 询价

2N1131A

Central Semiconductor · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-39-3 封装。
查看资料 询价

TSA874CW RPG

Taiwan Semiconductor · 封装：SOT-223-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 500 V、集电极－基极电压（VCBO） - 500 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 SOT-223-3 封装。
查看资料 询价

TSC4505CX

Taiwan Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。
查看资料 询价

KTC3198-O A1G

Taiwan Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92-3 封装。
查看资料 询价

TSA874CW RP

Taiwan Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。
查看资料 询价

TIP29-BP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：TO-220-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 TO-220-3 封装。
查看资料 询价

TS13002ACT B0G

Taiwan Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 700 V、发射极－基极电压（VEBO） 9 V，采用 TO-92-3 封装。
查看资料 询价

CMST5087 BK

Central Semiconductor · 封装：SOT-323

该型号为晶体管，主要参数包括商品名称 SUPERmini、型号别名 BK CMST5087 PBFREE，采用 SOT-323 封装。
查看资料 询价

2N6465

Central Semiconductor · 封装：TO-66-2

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 110 V、集电极－发射极饱和电压 1.2 V，采用 TO-66-2 封装。
查看资料 询价

TIP29A SL

Central Semiconductor · 封装：TO-220-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-220-3 封装。
查看资料 询价

TIP32A SL

Central Semiconductor · 封装：TO-220-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-220-3 封装。
查看资料 询价

2N6125 PBFREE

Central Semiconductor · 封装：TO-220-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-220-3 封装。
查看资料 询价

2N6425

Central Semiconductor · 封装：TO-66-2

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 325 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-66-2 封装。
查看资料 询价

CMKT3920 TR

Central Semiconductor · 封装：SOT-363

该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 CMKT3920 PBFREE TR，采用 SOT-363 封装。
查看资料 询价

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

芯片型号库｜技术参数与数据手册｜ChipSourceHub 美芯科技