BC817-25/SNVL
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 700 mV，采用 SOT-23-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录BC807-16LVL
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V、集电极－发射极饱和电压 - 700 mV，采用 SOT-23-3 封装。BC807-25LVL
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V、集电极－发射极饱和电压 - 700 mV，采用 SOT-23-3 封装。BC807-40LVL
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V、集电极－发射极饱和电压 - 700 mV，采用 SOT-23-3 封装。BC846A/SNVL
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 200 mV，采用 SOT-23-3 封装。BC847B/SNVL
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 200 mV，采用 SOT-23-3 封装。ZXTP4001ZTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、最大直流集电极电流 1 A、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-89-3 封装。BC807-16LR
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V、集电极－发射极饱和电压 - 700 mV，采用 SOT-23-3 封装。PMSTA56/8X
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 SOT-23-3 封装。BUL770-S
Bourns
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。BC807-25LZ
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V、集电极－发射极饱和电压 - 700 mV，采用 SOT-23-3 封装。ZTX953STZ
Diodes Incorporated · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） - 140 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、最大直流集电极电流 3.5 A，采用 TO-92-3 封装。BCM846BS-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-363-6 封装。BC807-25HZ
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V、集电极－发射极饱和电压 - 700 mV，采用 SOT-23-3 封装。ZTX658QSTZ
Diodes Incorporated · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 400 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92-3 封装。DSS5220TQ-13
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。ZTX1051ASTZ
Diodes Incorporated · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 150 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 4 A，采用 TO-92-3 封装。PHE13005X/01,127
WeEn Semiconductors · 封装：TO-220F-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 700 V、集电极－发射极饱和电压 0.3 V，采用 TO-220F-3 封装。BUJ403A/DG,127
WeEn Semiconductors · 封装：TO-220AB-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 550 V、集电极－基极电压（VCBO） 1.2 kV、集电极－发射极饱和电压 0.15 V，采用 TO-220AB-3 封装。ZX5T851A
Diodes Incorporated · 封装：E-Line-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 150 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、最大直流集电极电流 4.5 A，采用 E-Line-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。