2N3799A
Central Semiconductor · 封装：TO-18
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 2N3799A PBFREE，采用 TO-18 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录2N917
Central Semiconductor · 封装：TO-72-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 TO-72-3 封装。IMX18T208
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管。CMUT5401 BK
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括商品名称 UltraMini。MPS3707
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、耗散功率（Pd） 625 mW、单件重量 0.016000 oz，采用 TO-92-3 封装。CMPT3410 TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 CMPT3410 PBFREE TR，采用 SOT-23 封装。PMD12K100
Central Semiconductor · 封装：TO-3-2
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-3-2 封装。CMPT2484 BK
Central Semiconductor · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 BK CMPT2484 PBFREE，采用 SOT-23 封装。BC807-40LWF
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V、集电极－发射极饱和电压 - 700 mV，采用 SOT-323-3 封装。MPS3710
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、耗散功率（Pd） 625 mW、单件重量 0.016000 oz，采用 TO-92-3 封装。S1JVNJD2873T4G
ON Semiconductor
该型号为晶体管。CPH3205-M-TL-E
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。BC807-40LZ
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V、集电极－发射极饱和电压 - 700 mV，采用 SOT-23-3 封装。MMBT2222AHLT1H
ON Semiconductor
该型号为晶体管。BC807-16LZ
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V、集电极－发射极饱和电压 - 700 mV，采用 SOT-23-3 封装。CMXT7090L TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-26
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 40 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 SOT-26 封装。CMPT5401 BK
Central Semiconductor · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 BK CMPT5401 PBFREE，采用 SOT-23 封装。CMPT930 TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 CMPT930 PBFREE TR，采用 SOT-23 封装。2N3740A
Central Semiconductor · 封装：TO-66-2
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-66-2 封装。BC807-25LWF
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V、集电极－发射极饱和电压 - 700 mV，采用 SOT-323-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。