ZTX957STZ
Diodes Incorporated · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） - 330 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 TO-92-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录SJD32CT4G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。ZUMT591TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 SOT-323-3 封装。ZTX788ASTZ
Diodes Incorporated · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 15 V、集电极－基极电压（VCBO） - 20 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.5 V，采用 TO-92-3 封装。FZT717TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 12 V、集电极－基极电压（VCBO） - 12 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 320 mV，采用 SOT-223-4 封装。DRDN010W-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 18 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 SOT-363-6 封装。APT13003SZTR-G1
Diodes Incorporated
该型号为晶体管。DSS5240Y-7
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。2N2907Ae3
Microchip / Microsemi · 封装：TO-206AA-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-206AA-3 封装。2N4298
Central Semiconductor · 封装：TO-66-2
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 350 V、集电极－基极电压（VCBO） 500 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V，采用 TO-66-2 封装。2SC4116SU-GR,LF
Toshiba · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、增益带宽积（fT） 80 MHz、连续集电极电流 150 mA、最小直流电流增益（hfe） 70，采用 SC-70-3 封装。BC807-16HZ
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V、集电极－发射极饱和电压 - 700 mV，采用 SOT-23-3 封装。DN0150ALP4-7
Diodes Incorporated · 封装：DFN-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 DFN-3 封装。PN4033
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 PBFREE PN4033，采用 TO-92-3 封装。2N4232A
Central Semiconductor · 封装：TO-66-2
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 2N4232A PBFREE，采用 TO-66-2 封装。CZT3904 BK
Central Semiconductor · 封装：SOT-223
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 BK CZT3904 PBFREE，采用 SOT-223 封装。ZXTP2012A
Diodes Incorporated · 封装：E-Line-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V、集电极－基极电压（VCBO） - 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 - 145 mV，采用 E-Line-3 封装。ZTX1149ASTZ
Diodes Incorporated · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 25 V、集电极－基极电压（VCBO） - 30 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 200 mV，采用 TO-92-3 封装。2STR2240
STMicroelectronics
该型号为晶体管。NSVS50031SB3T1G
ON Semiconductor · 封装：CPH-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 140 mV，采用 CPH-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。