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型号列表

199,570 条型号记录
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2N4126 TRE

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V，采用 TO-92-3 封装。
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CJD41C TR13

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括商品名称 DPAK POWER、型号别名 CJD41C PBFREE TR13。
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2N6315

Central Semiconductor · 封装：TO-66-2

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-66-2 封装。
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CZTA94 TR

Central Semiconductor · 封装：SOT-223

该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 CZTA94 PBFREE TR，采用 SOT-223 封装。
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CMST5086 BK

Central Semiconductor · 封装：SOT-323

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V，采用 SOT-323 封装。
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2N4232

Central Semiconductor · 封装：TO-66-2

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 70 V、集电极－发射极饱和电压 2 V，采用 TO-66-2 封装。
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2N5059

Central Semiconductor · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 250 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、增益带宽积（fT） 160 MHz、连续集电极电流 150 mA、耗散功率（Pd） 5 W，采用 TO-39-3 封装。
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2N6518

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 2N6518 PBFREE，采用 TO-92-3 封装。
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CMPT6520 TR

Central Semiconductor · 封装：SOT-23

该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 CMPT6520 PBFREE TR，采用 SOT-23 封装。
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FZT696BTC

Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 180 V、集电极－基极电压（VCBO） 180 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.5 A、最小工作温度 - 55 C，采用 SOT-223-4 封装。
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DN0150ADJ-7

Diodes Incorporated · 封装：SOT-963-6

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-963-6 封装。
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BC848AW-7-F

Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-323-3 封装。
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2N4911

Central Semiconductor · 封装：TO-66-2

该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 2N4911 PBFREE，采用 TO-66-2 封装。
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CXT3150 TR

Central Semiconductor · 封装：SOT-89

该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 CXT3150 PBFREE TR，采用 SOT-89 封装。
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2N6420

Central Semiconductor · 封装：TO-66-2

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 175 V、集电极－基极电压（VCBO） 250 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-66-2 封装。
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2SC4116BLTE85LF

Toshiba · 封装：SOT-323-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.1 V，采用 SOT-323-3 封装。
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CMUT4403 TR

Central Semiconductor · 封装：SOT-523

该型号为晶体管，主要参数包括商品名称 UltraMini、型号别名 CMUT4403 PBFREE TR，采用 SOT-523 封装。
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CZT853 TR

Central Semiconductor · 封装：SOT-223-4

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 200 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-223-4 封装。
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FZT790ATC

Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 40 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.4 V，采用 SOT-223-4 封装。
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