ZTX758STZ
Diodes Incorporated · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 400 V、集电极－基极电压（VCBO） - 400 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.5 V，采用 TO-92-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录FZT657QTA
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。DCX69-25-13
Diodes Incorporated · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 SOT-89-3 封装。2DA1971-13
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。PRMH10Z
Nexperia · 封装：DFN-1412-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 100 mV，采用 DFN-1412-6 封装。2DA1774QLP-7
Diodes Incorporated · 封装：DFN-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 DFN-3 封装。ZXTP5401GTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 160 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 2 A，采用 SOT-223-4 封装。APT13003LZTR-G1
Diodes Incorporated
该型号为晶体管。CJD210 TR13
Central Semiconductor · 封装：DPAK-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 8 V，采用 DPAK-3 封装。CZT5401 BK
Central Semiconductor · 封装：SOT-223
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 BK CZT5401 PBFREE，采用 SOT-223 封装。CMUT4401 TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-523
该型号为晶体管，主要参数包括商品名称 UltraMini、型号别名 CMUT4401 PBFREE TR，采用 SOT-523 封装。MPS6652
Central Semiconductor
该型号为晶体管。2N5429
Central Semiconductor · 封装：TO-66-2
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、集电极－发射极饱和电压 0.7 V，采用 TO-66-2 封装。ZXTPS718MCTA
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。BC857BFA-7B
Diodes Incorporated
该型号为晶体管。DSS5220TQ-7
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。MJD31CUQ-13
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。ZTX560STZ
Diodes Incorporated · 封装：E-Line-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 500 V、集电极－基极电压（VCBO） - 500 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.5 V，采用 E-Line-3 封装。PRMD13Z
Nexperia · 封装：DFN-1412-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 100 mV，采用 DFN-1412-6 封装。PRMD16Z
Nexperia · 封装：DFN-1412-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 150 mV，采用 DFN-1412-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。