BCX41QTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 125 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.9 V、最大直流集电极电流 800 mA，采用 SOT-23-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录BC858AW-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-323-3 封装。BC858B TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-23-3 封装。2N4231
Central Semiconductor · 封装：TO-66-2
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、集电极－发射极饱和电压 2 V、增益带宽积（fT） 4 MHz，采用 TO-66-2 封装。CZT2222A BK
Central Semiconductor · 封装：SOT-223
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 BK CZT2222A PBFREE，采用 SOT-223 封装。2N5225
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V、集电极－发射极饱和电压 0.8 V，采用 TO-92-3 封装。MPSA29 TRE
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 12 V、集电极－发射极饱和电压 1.5 V，采用 TO-92-3 封装。ZDT6753TC
Diodes Incorporated · 封装：SM-8
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.23 V，采用 SM-8 封装。CJD47 TR13
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括商品名称 DPAK POWER、型号别名 CJD47 PBFREE TR13。CMLT3906E
Central Semiconductor · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.1 V，采用 SOT-563-6 封装。MPS3706
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 TO-92-3 封装。CMLT5554 TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-563
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 CMLT5554 PBFREE TR，采用 SOT-563 封装。CZT4033 BK
Central Semiconductor · 封装：SOT-223
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 BK CZT4033 PBFREE，采用 SOT-223 封装。CZTA96 TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-223
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 CZTA96 PBFREE TR，采用 SOT-223 封装。CZTA44 TR13
Central Semiconductor · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 450 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-223-4 封装。CZT2907A BK
Central Semiconductor · 封装：SOT-223
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 BK CZT2907A PBFREE，采用 SOT-223 封装。2N4899
Central Semiconductor · 封装：TO-66-2
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、集电极－发射极饱和电压 0.6 V，采用 TO-66-2 封装。DN0150BDJ-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-963-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-963-6 封装。ZTX788BSTZ
Diodes Incorporated · 封装：E-Line-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 15 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 3 A，采用 E-Line-3 封装。ZTX1048ASTZ
Diodes Incorporated · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 17.5 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 4 A，采用 TO-92-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。