CMST5089 BK
Central Semiconductor · 封装：SOT-323
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 4.5 V，采用 SOT-323 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录DCX69-16-13
Diodes Incorporated · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 SOT-89-3 封装。ZTX696BSTZ
Diodes Incorporated · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 180 V、集电极－基极电压（VCBO） 180 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.25 V，采用 TO-92-3 封装。BC857RAZ
Nexperia · 封装：DFN-1412-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 100 mV，采用 DFN-1412-6 封装。2N3036
Central Semiconductor · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1.2 A，采用 TO-39-3 封装。ZXTC2045E6QTA
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。FMMT494TC
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 120 V、集电极－基极电压（VCBO） 140 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 300 mV，采用 SOT-23-3 封装。ZX5T3ZTC
Diodes Incorporated · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 7.5 V、最大直流集电极电流 5.5 A，采用 SOT-89-3 封装。BC848A-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-23-3 封装。CJD340 TR13
Central Semiconductor · 封装：DPAK-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V，采用 DPAK-3 封装。2N929A
Central Semiconductor · 封装：TO-18-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-18-3 封装。2N6666
Central Semiconductor · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、集电极－发射极饱和电压 2 V、最大直流集电极电流 8 A、增益带宽积（fT） 20 MHz，采用 TO-220-3 封装。2N3109
Central Semiconductor · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 0.25 V，采用 TO-39-3 封装。2N6049
Central Semiconductor · 封装：TO-66-2
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 55 V、集电极－基极电压（VCBO） 90 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 TO-66-2 封装。PRMH2Z
Nexperia · 封装：DFN-1412-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、集电极－发射极饱和电压 - 150 mV，采用 DFN-1412-6 封装。APT13003HZTR-G1
Diodes Incorporated
该型号为晶体管。CEN-U06N
Central Semiconductor · 封装：TO-202-2
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 CEN-U06N PBFREE，采用 TO-202-2 封装。BC848BW-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-323-3 封装。CMPTA92E
Central Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 350 V、集电极－基极电压（VCBO） 350 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 125 mV，采用 SOT-23-3 封装。MPS6563
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 MPS6563 PBFREE，采用 TO-92-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。