CMLT2907A BK
Central Semiconductor · 封装：SOT-563
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 BK CMLT2907A PBFREE，采用 SOT-563 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录2N5337
Central Semiconductor · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 2N5337 PBFREE，采用 TO-39-3 封装。2N3013
Central Semiconductor · 封装：TO-18-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.2 A，采用 TO-18-3 封装。BCX71H TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-23-3 封装。2N6423
Central Semiconductor · 封装：TO-66-2
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 500 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-66-2 封装。MPSA42 TRE
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-92-3 封装。CMST5086 TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-323
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V，采用 SOT-323 封装。BCX53-16 TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-89-3 封装。BSX64
Central Semiconductor · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.8 V，采用 TO-39-3 封装。ZTX958STZ
Diodes Incorporated · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 400 V、集电极－基极电压（VCBO） - 400 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 400 mV，采用 TO-92-3 封装。2N3701
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 140 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V。BCY78-VII
Central Semiconductor · 封装：TO-18
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 32 V、集电极－基极电压（VCBO） 32 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-18 封装。2N2195B
Central Semiconductor · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.18 V，采用 TO-39-3 封装。2N5956
Central Semiconductor · 封装：TO-66-2
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-66-2 封装。ZTX449STZ
Diodes Incorporated · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 TO-92-3 封装。2N4910
Central Semiconductor · 封装：TO-66-2
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、集电极－发射极饱和电压 0.6 V，采用 TO-66-2 封装。SSM2212RZ-RL
Analog Devices · 封装：SOIC-8
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、最大直流集电极电流 0.02 A、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-8 封装。MPS6560
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V、连续集电极电流 0.6 A、耗散功率（Pd） 625 mW，采用 TO-92-3 封装。CZTA46 TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-223
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 CZTA46 PBFREE TR，采用 SOT-223 封装。DXTP03200BP5-13
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。