BC53-10PA,115
Nexperia · 封装：DFN-2020-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、集电极－基极电压（VCBO） - 100 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.5 V，采用 DFN-2020-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录CJD50 TR13
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括商品名称 DPAK POWER、型号别名 CJD50 PBFREE TR13。40347
Central Semiconductor · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 1 V、最大直流电流增益（hFE） 80，采用 TO-39-3 封装。CMLT5078E TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-563
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 CMLT5078E PBFREE TR，采用 SOT-563 封装。CMUSH2-4L TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-523
该型号为晶体管，主要参数包括商品名称 UltraMini、型号别名 CMUSH2-4L PBFREE TR，采用 SOT-523 封装。CMBT3906E TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-923
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、型号别名 CMBT3906E PBFREE TR，采用 SOT-923 封装。CMBT3904E TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-923
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 200 mV，采用 SOT-923 封装。CMPT5086 TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V、集电极－发射极饱和电压 0.3 V，采用 SOT-23 封装。CMST5088 TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-323
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 35 V、发射极－基极电压（VEBO） 4.5 V，采用 SOT-323 封装。ZTX694BSTZ
Diodes Incorporated · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 120 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 TO-92-3 封装。CMST5088 BK
Central Semiconductor · 封装：SOT-323
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 35 V、发射极－基极电压（VEBO） 4.5 V，采用 SOT-323 封装。CZTA44HC TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 450 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 1.5 V，采用 SOT-223-4 封装。FMMT491TC
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 160 mV，采用 SOT-23-3 封装。CMLT5551HC TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-563
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 160 V、集电极－基极电压（VCBO） 180 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 200 mV，采用 SOT-563 封装。2N5955
Central Semiconductor · 封装：TO-66-2
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 70 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-66-2 封装。NSV60200SMTWTBG
ON Semiconductor · 封装：WDFN-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V、集电极－基极电压（VCBO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.365 V，采用 WDFN-6 封装。MCH6534-TL-E
ON Semiconductor · 封装：MCPH-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、连续集电极电流 700 mA、最小直流电流增益（hfe） 300、耗散功率（Pd） 500 mW，采用 MCPH-6 封装。ZTX558STZ
Diodes Incorporated · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 400 V、集电极－基极电压（VCBO） - 400 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.5 V，采用 TO-92-3 封装。2PD602ASL,235
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、认证等级 AEC-Q101，采用 SOT-23-3 封装。CPH3122-TL-E
ON Semiconductor · 封装：CPH-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 30 V、集电极－基极电压（VCBO） - 30 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 120 mV, - 180 mV，采用 CPH-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。