CMUT3904 BK
Central Semiconductor · 封装：SOT-523
该型号为晶体管，主要参数包括商品名称 UltraMini、型号别名 BK CMUT3904 PBFREE，采用 SOT-523 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录MPSA42 APM
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-92-3 封装。2N5954
Central Semiconductor · 封装：TO-66-2
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 90 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-66-2 封装。PBSS4032PZ,115
Nexperia · 封装：SOT-223-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 30 V、集电极－基极电压（VCBO） - 30 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 270 mV，采用 SOT-223-3 封装。2DD1766Q-13
Diodes Incorporated · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 32 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 2 A，采用 SOT-89-3 封装。ZXTP01500BGQTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 500 V、集电极－基极电压（VCBO） - 500 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V，采用 SOT-223-3 封装。PMST6429,115
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 55 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-323-3 封装。2N834A
Central Semiconductor · 封装：TO-18-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 TO-18-3 封装。2N6372
Central Semiconductor · 封装：TO-66-2
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 90 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-66-2 封装。CZT7090L TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-223
该型号为晶体管，主要参数包括商品名称 Power223、型号别名 CZT7090L PBFREE TR，采用 SOT-223 封装。CZT3019 BK
Central Semiconductor · 封装：SOT-223
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 BK CZT3019 PBFREE，采用 SOT-223 封装。CZT32C TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-223
该型号为晶体管，主要参数包括商品名称 Power223、型号别名 CZT32C PBFREE TR，采用 SOT-223 封装。ZXTD2090E6TA
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。NSVMMBT589LT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、认证等级 AEC-Q101。NSS35200CF8T1G
ON Semiconductor · 封装：1206A
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 35 V、集电极－基极电压（VCBO） - 55 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.3 V，采用 1206A 封装。PMBT4401,185
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 SOT-23-3 封装。BC860CW,135
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-323-3 封装。BC55-10PASX
Nexperia · 封装：DFN-2020D-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 DFN-2020D-3 封装。BC52-10PASX
Nexperia · 封装：DFN-2020D-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V、集电极－基极电压（VCBO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 DFN-2020D-3 封装。MMDT3906V-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 SOT-563-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。