2PB710ARL,235
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 600 mV，采用 SOT-23-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录PMST3906,135
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.2 A，采用 SOT-323-3 封装。2PB709ARL,215
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-23-3 封装。BCX23
Central Semiconductor · 封装：TO-18
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 125 V、集电极－基极电压（VCBO） 125 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-18 封装。2N6433
Central Semiconductor · 封装：TO-18
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 TO-18 封装。2PC4617RM,315
Nexperia · 封装：DFN-1006-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 DFN-1006-3 封装。PUMX2,125
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、认证等级 AEC-Q101，采用 TSSOP-6 封装。PBSS5250XZ
Nexperia · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 SOT-89-3 封装。40348
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 40348 BK。CMUSH2-4A TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-523
该型号为晶体管，主要参数包括商品名称 UltraMini、型号别名 CMUSH2-4A PBFREE TR，采用 SOT-523 封装。CMPT591E TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 CMPT591E PBFREE TR，采用 SOT-23 封装。2N4900
Central Semiconductor · 封装：TO-66-2
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、集电极－发射极饱和电压 0.6 V，采用 TO-66-2 封装。CXTA44 TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-89
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 CXTA44 PBFREE TR，采用 SOT-89 封装。CZTA44 TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 450 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.75 V、最大直流集电极电流 0.3 A，采用 SOT-223-4 封装。2N3722
Central Semiconductor · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 2N3722 PBFREE，采用 TO-39-3 封装。MAT14ARZ-RL
Analog Devices · 封装：SOIC-14
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Quad、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、最大直流集电极电流 0.03 A、最小工作温度 - 25 C，采用 SOIC-14 封装。ZXTP01500BGQTC
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 500 V、集电极－基极电压（VCBO） - 500 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V，采用 SOT-223-3 封装。PBSS5160TVL
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 SOT-23-3 封装。2N3496
Central Semiconductor · 封装：TO-18-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V、集电极－发射极饱和电压 0.3 V，采用 TO-18-3 封装。BC856AT TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-523-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-523-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。