2N4424 TRE
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录2N6261
Central Semiconductor · 封装：TO-66-2
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 90 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 TO-66-2 封装。CMUT3906 TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-523
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 SOT-523 封装。ZX5T955GTC
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 140 V、集电极－基极电压（VCBO） 180 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、最大直流集电极电流 4 A，采用 SOT-223-4 封装。NSV60201SMTWTBG
ON Semiconductor · 封装：WDFN-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.115 V，采用 WDFN-6 封装。CZT3150 TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-223
该型号为晶体管，主要参数包括商品名称 Power223、型号别名 CZT3150 PBFREE TR，采用 SOT-223 封装。2PA1576R,135
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.15 A，采用 SOT-323-3 封装。2N3867
Central Semiconductor · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 2N3867 PBFREE，采用 TO-39-3 封装。CMPT2222AE TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.92 V，采用 SOT-23 封装。CEN-U06
Central Semiconductor · 封装：TO-202-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V，采用 TO-202-3 封装。2N3739
Central Semiconductor · 封装：TO-66-2
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 325 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-66-2 封装。CMUSH2-4C TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-523
该型号为晶体管，主要参数包括商品名称 UltraMini、型号别名 CMUSH2-4C PBFREE TR，采用 SOT-523 封装。PBSS4160TVL
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 SOT-23-3 封装。FZT749TC
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 25 V、集电极－基极电压（VCBO） - 35 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.4 V，采用 SOT-223-4 封装。BCM856BSF
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 TSSOP-6 封装。2DB1184Q-13
Diodes Incorporated · 封装：DPAK-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 3 A，采用 DPAK-3 封装。2PD602ARL,235
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、认证等级 AEC-Q101，采用 SOT-23-3 封装。BCW70,235
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-23-3 封装。PMST6428,135
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-323-3 封装。BC54-10PA,115
Nexperia · 封装：DFN-2020-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 DFN-2020-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。