2SC3326BTE85LF
Toshiba · 封装：SOT-346-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 25 V、集电极－发射极饱和电压 0.042 V，采用 SOT-346-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录2PC4617QM,315
Nexperia · 封装：DFN-1006-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 200 mA，采用 DFN-1006-3 封装。2N4405
Central Semiconductor · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、增益带宽积（fT） 600 MHz、连续集电极电流 1 A、最小直流电流增益（hfe） 30，采用 TO-39-3 封装。ZXTP2039FTC
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 SOT-23-3 封装。PIMZ2,125
Nexperia · 封装：TSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、认证等级 AEC-Q101，采用 TSOP-6 封装。2N6432
Central Semiconductor · 封装：TO-18
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 200 V、集电极－基极电压（VCBO） 200 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-18 封装。2N5226
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V、增益带宽积（fT） 50 MHz，采用 TO-92-3 封装。BSX20
Central Semiconductor · 封装：TO-18-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 4.5 V，采用 TO-18-3 封装。2N4898
Central Semiconductor · 封装：TO-66-2
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 2N4898 PBFREE，采用 TO-66-2 封装。2DC2412R-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、最大直流集电极电流 0.15 A，采用 SOT-23-3 封装。2N3114
Central Semiconductor · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 150 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 TO-39-3 封装。PMD16K100
Central Semiconductor · 封装：TO-3-2
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-3-2 封装。2N3766
Central Semiconductor · 封装：TO-66-2
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-66-2 封装。2PA1576Q,115
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.15 A，采用 SOT-323-3 封装。2N5859
Central Semiconductor · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-39-3 封装。2N6288
Central Semiconductor · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 3.5 V，采用 TO-220-3 封装。BCY59-VII
Central Semiconductor · 封装：TO-18
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-18 封装。ZTX857
Diodes Incorporated · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 330 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 3 A，采用 TO-92-3 封装。2N5298
Central Semiconductor · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、集电极－发射极饱和电压 1 V、最大直流集电极电流 4 A、增益带宽积（fT） 800 kHz，采用 TO-220-3 封装。2N6076
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.25 V，采用 TO-92-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。