BD440
Central Semiconductor · 封装：TO-126-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-126-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录FMMT718TC
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 20 V、集电极－基极电压（VCBO） - 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 145 mV，采用 SOT-23-3 封装。TIP50
Central Semiconductor · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 PBFREE TIP50，采用 TO-220-3 封装。2N5886
Central Semiconductor · 封装：TO-3-2
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-3-2 封装。TIP42C
Central Semiconductor · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-220-3 封装。MPSA05
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.016000 oz，采用 TO-92-3 封装。BC548B
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.016000 oz，采用 TO-92-3 封装。BC337-40
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.016000 oz，采用 TO-92-3 封装。FMMT560TC
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 500 V、集电极－基极电压（VCBO） - 500 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V、集电极－发射极饱和电压 - 500 mV，采用 SOT-23-3 封装。2N4300
Central Semiconductor · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 2N4300 PBFREE，采用 TO-39-3 封装。ZTX955
Diodes Incorporated · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 140 V、集电极－基极电压（VCBO） - 180 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、最大直流集电极电流 3 A，采用 TO-92-3 封装。2N5818
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.75 A、增益带宽积（fT） 135 MHz，采用 TO-92-3 封装。MPSA94
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 MPSA94 PBFREE，采用 TO-92-3 封装。2N6211
Central Semiconductor · 封装：TO-66-2
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 225 V、集电极－基极电压（VCBO） 275 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-66-2 封装。MPSA44
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 MPSA44 PBFREE，采用 TO-92-3 封装。2N3706
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、最大直流集电极电流 0.8 A，采用 TO-92-3 封装。2N5086
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V、集电极－发射极饱和电压 0.3 V，采用 TO-92-3 封装。2N3738
Central Semiconductor · 封装：TO-66-2
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 225 V、集电极－基极电压（VCBO） 250 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-66-2 封装。2N6292
Central Semiconductor · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 70 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 3.5 V，采用 TO-220-3 封装。BC856B TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-23-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。