BC817K25WH6433XTMA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-323-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录Jan2N2907AUA
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。2N6674
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。BC817K40E6327XT
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-23-3 封装。BC817K40WH6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-323-3 封装。MMBT2907ALT1HTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1.6 V，采用 SOT-23-3 封装。FMMT493TC
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 600 mV，采用 SOT-23-3 封装。MJE340
Central Semiconductor · 封装：TO-126
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 MJE340 PBFREE，采用 TO-126 封装。2N5296
Central Semiconductor · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 TO-220-3 封装。2N6490
Central Semiconductor · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 70 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-220-3 封装。2N2896
Central Semiconductor · 封装：TO-18
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 90 V、集电极－基极电压（VCBO） 140 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 TO-18 封装。2N6667
Central Semiconductor · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、集电极－发射极饱和电压 2 V、最大直流集电极电流 10 A、增益带宽积（fT） 20 MHz，采用 TO-220-3 封装。2PD601ASL,215
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-23-3 封装。2N956
Central Semiconductor · 封装：TO-18-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 1.5 V，采用 TO-18-3 封装。2N6298
Central Semiconductor · 封装：TO-66-2
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-66-2 封装。MPS6514
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 TO-92-3 封装。2N4240
Central Semiconductor · 封装：TO-66-2
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 500 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-66-2 封装。2N6519
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 2N6519 PBFREE，采用 TO-92-3 封装。2N5193
Central Semiconductor · 封装：TO-126-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-126-3 封装。2N696
Central Semiconductor · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1.5 V，采用 TO-39-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。