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199,570 条型号记录
每页 20 条

2N3440UA

Microchip / Microsemi · 封装：SMD-4

该型号为晶体管，采用 SMD-4 封装。
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2N3762L

Microchip / Microsemi · 封装：TO-5-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-5-3 封装。
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BC849CWH6327XTSA1

Infineon Technologies · 封装：SOT-363-6

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 200 mV，采用 SOT-363-6 封装。
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BC847BWH6433XTMA1

Infineon Technologies · 封装：SOT-323-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、集电极－发射极饱和电压 200 mV、最大直流集电极电流 200 mA，采用 SOT-323-3 封装。
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BCW61DE6327HTSA1

Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 32 V、集电极－基极电压（VCBO） 32 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.2 V，采用 SOT-23-3 封装。
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2N2906AL

Microchip / Microsemi · 封装：TO-18-3

该型号为晶体管，采用 TO-18-3 封装。
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2N3421S

Microchip / Microsemi · 封装：TO-5-3

该型号为晶体管，采用 TO-5-3 封装。
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Jantx2N2222A/TR

Microchip / Microsemi · 封装：TO-206AA-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-206AA-3 封装。
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2N2481

Microchip / Microsemi · 封装：TO-18-3

该型号为晶体管，采用 TO-18-3 封装。
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