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2N2906AUA

Microchip / Microsemi · 封装：TO-18-3

该型号为晶体管，采用 TO-18-3 封装。
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Jantxv2N2222A/TR

Microchip / Microsemi · 封装：TO-206AA-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-206AA-3 封装。
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BC 847PN H6433

Infineon Technologies · 封装：SOT-363-6

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 650 mV、最大直流集电极电流 100 mA，采用 SOT-363-6 封装。
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BDP 947 H6327

Infineon Technologies

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、型号别名 BDP947H6327XT BDP947H6327XTSA1 SP000748376。
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BCX5116H6433XTMA1

Infineon Technologies · 封装：SOT-89-4

该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 51-16 BCX H6433 SP001125338，采用 SOT-89-4 封装。
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SMBTA06E6433HTMA1

Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V、集电极－发射极饱和电压 0.25 V，采用 SOT-23-3 封装。
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2N2904AL

Microchip / Microsemi · 封装：TO-5-3

该型号为晶体管，采用 TO-5-3 封装。
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BCX5316H6433XTMA1

Infineon Technologies · 封装：SOT-89-4

该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 53-16 BCX H6433 SP001125462，采用 SOT-89-4 封装。
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2SCR523V1T2L

ROHM Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 100 mV。
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BC846SH6727XTSA1

Infineon Technologies · 封装：SOT-363-6

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 200 mV，采用 SOT-363-6 封装。
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