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199,570 条型号记录
每页 20 条

BCW 67B E6327

Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 32 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.3 V，采用 SOT-23-3 封装。
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Jan2N2222AL/TR

Microchip / Microsemi · 封装：TO-206AA-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-206AA-3 封装。
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BC 818K-40 E6327

Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.7 V，采用 SOT-23-3 封装。
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BC 858C E6433

Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-23-3 封装。
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BCW60CE6327HTSA1

Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 32 V、集电极－基极电压（VCBO） 32 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.2 V，采用 SOT-23-3 封装。
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BC860BE6327HTSA1

Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 250 mV，采用 SOT-23-3 封装。
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BC860BWH6327XTSA1

Infineon Technologies · 封装：SOT-323-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 250 mV，采用 SOT-323-3 封装。
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BCX5516H6433XTMA1

Infineon Technologies · 封装：SOT-89-4

该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 55-16 BCX H6433 SP001125474，采用 SOT-89-4 封装。
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2N1484

Microchip / Microsemi · 封装：TO-8-3

该型号为晶体管，采用 TO-8-3 封装。
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2N3499L

Microchip / Microsemi · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，采用 TO-39-3 封装。
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2N3635L

Microchip / Microsemi · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，采用 TO-39-3 封装。
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