2N3440L
Microchip / Microsemi · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，采用 TO-39-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录2N3501L
Microchip / Microsemi · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，采用 TO-39-3 封装。2N3468
Microchip / Microsemi · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，采用 TO-39-3 封装。JANTX2N5151
Microchip / Microsemi · 封装：Si
该型号为晶体管，采用 Si 封装。BC847BL3E6327XTMA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 200 mV，采用 SOT-23-3 封装。SMBT3906UE6327HTSA1
Infineon Technologies · 封装：SC-74-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 SC-74-6 封装。BC857BE6433HTMA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 250 mV，采用 SOT-23-3 封装。2N2060L
Microchip / Microsemi · 封装：TO-78-6
该型号为晶体管，采用 TO-78-6 封装。2N2369AU
Microchip / Microsemi · 封装：TO-18-3
该型号为晶体管，采用 TO-18-3 封装。SMBT 3906U E6327
Infineon Technologies · 封装：SC-74-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 SC-74-6 封装。2N3486A
Microchip / Microsemi · 封装：TO-46-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-46-3 封装。Jantx2N4033UB
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。2N2988
Microchip / Microsemi · 封装：TO-5-3
该型号为晶体管，采用 TO-5-3 封装。2N4901
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。2N3960UB
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。2N2895
Microchip / Microsemi · 封装：TO-18-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、集电极－发射极饱和电压 0.6 V，采用 TO-18-3 封装。2N3743
Microchip / Microsemi · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300、集电极－基极电压（VCBO） 300 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-39-3 封装。Jantxv2N4150
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。2N3500L
Microchip / Microsemi · 封装：TO-5-3
该型号为晶体管，采用 TO-5-3 封装。BC847SH6433XTMA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 200 mV，采用 SOT-363-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。