2N329A
Microchip / Microsemi · 封装：TO-5-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 30 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 20 V，采用 TO-5-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录2N1483
Microchip / Microsemi · 封装：TO-8-3
该型号为晶体管，采用 TO-8-3 封装。2N4914
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。2N5796
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。2N5238
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。Jan2N2904A
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。2N3418
Microchip / Microsemi · 封装：TO-5-3
该型号为晶体管，采用 TO-5-3 封装。2N2907AL
Microchip / Microsemi · 封装：TO-18-3
该型号为晶体管，采用 TO-18-3 封装。2N3486
Microchip / Microsemi · 封装：TO-46-3
该型号为晶体管，采用 TO-46-3 封装。2N6677
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。2N6676
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。2N327A
Microchip / Microsemi · 封装：TO-5-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 40 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 20 V，采用 TO-5-3 封装。JANTX2N5665
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。2N2222AUA/TR
Microchip / Microsemi · 封装：LCC-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 LCC-4 封装。Jan2N4033
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。Jantxv2N2222AL
Microchip / Microsemi · 封装：Si
该型号为晶体管，采用 Si 封装。2N6275
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。2N5671
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。2N4899
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。2N5429
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。