BC817UE6327HTSA1
Infineon Technologies · 封装：SC-74-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.7 V，采用 SC-74-6 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录BCX5310H6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-89-4
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 53-10 BAT1707E6327HTSA1 BCX H6327 SP001125348，采用 SOT-89-4 封装。BC 860CW H6327
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、型号别名 BC860CWH6327XTSA1 BC86CWH6327XT SP000747588。JANTX2N2880
Microchip / Microsemi · 封装：SMD/SMT
该型号为晶体管，采用 SMD/SMT 封装。Jantxv2N3767
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。2N5873
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。Jantxv2N2905A
Microchip / Microsemi · 封装：TO-5-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-5-3 封装。Jan2N3499
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。Jan2N2221A
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。2N1711S
Microchip / Microsemi · 封装：TO-5-3
该型号为晶体管，采用 TO-5-3 封装。BCX51H6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-89-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-89-4 封装。2N5782
Microchip / Microsemi · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 65 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-39-3 封装。BCX 70H E6433
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-23-3 封装。BCW61AE6327HTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 32 V、集电极－基极电压（VCBO） 32 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.2 V，采用 SOT-23-3 封装。2N2604
Microchip / Microsemi · 封装：TO-46-3
该型号为晶体管，采用 TO-46-3 封装。2N2218AL
Microchip / Microsemi · 封装：TO-5-3
该型号为晶体管，采用 TO-5-3 封装。LP395Z/LFT1
Texas Instruments · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、单件重量 0.016000 oz，采用 TO-92-3 封装。BC818K40E6327HTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.7 V，采用 SOT-23-3 封装。2N2907AUA
Optek / TT Electronics · 封装：CLCC-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1.6 V，采用 CLCC-4 封装。2N6546
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。