Jantx2N3501L
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录2N4150S
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。Jantxv2N2484UB
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。BCP 69-25 H6327
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、型号别名 BCP6925H6327XT BCP6925H6327XTSA1 SP000748374。HS2907A
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。2N3997
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。BC848CWH6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 200 mV，采用 SOT-323-3 封装。BCX6910H6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-89-4
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 69-10 BCX H6327 SP001125298，采用 SOT-89-4 封装。BC817K16E6327HTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-23-3 封装。BCX71JE6433HTMA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.2 V，采用 SOT-23-3 封装。2N4910
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。BC 848BL3 E6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-23-3 封装。2N2946A
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。JANTX2N3635
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。JANTXV2N2920
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。JAN2N3501UB
Microchip / Microsemi · 封装：SMD/SMT
该型号为晶体管，采用 SMD/SMT 封装。JANTX2N4029
Microchip / Microsemi · 封装：Si
该型号为晶体管，采用 Si 封装。BDP 950 H6327
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、型号别名 BDP950H6327XT BDP950H6327XTSA1 SP000748522。Jan2N3741
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。BC 858C E6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 250 mV，采用 SOT-23-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。