Jantx2N3867
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录2N498
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。2N6212
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。2N5665
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。JAN2N720A
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。2N6675
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。Jantx2N3418
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。BCV62AE6327HTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-143-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 250 mV，采用 SOT-143-4 封装。2N4261
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。SMBT3904E6433HTMA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.3 V，采用 SOT-23-3 封装。2N3634
Microchip / Microsemi · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，采用 TO-39-3 封装。2N2432
Microchip / Microsemi · 封装：TO-18-3
该型号为晶体管，采用 TO-18-3 封装。BC 847BL3 E6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 200 mV，采用 SOT-23-3 封装。2N1890
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。2N6438
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。2N3996
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。2N5877
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。JAN2N5152
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。2N5881
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。2N6249
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。