TS13005CK C0G
Taiwan Semiconductor · 封装：TO-126-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 700 V、发射极－基极电压（VEBO） 9 V，采用 TO-126-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录2SD2679T100
ROHM Semiconductor · 封装：MPT-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 MPT-3 封装。PCP1203-P-TD-H
ON Semiconductor
该型号为晶体管。2N333
Microchip / Microsemi · 封装：TO-5-3
该型号为晶体管，采用 TO-5-3 封装。Jan2N1893S
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。Jantx2N3499
Microchip / Microsemi · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-39-3 封装。JANTX2N5152
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。2N2222AUB/TR
Microchip / Microsemi · 封装：LCC-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 LCC-3 封装。2N656
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。BCW 60D E6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 32 V、集电极－基极电压（VCBO） 32 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.2 V，采用 SOT-23-3 封装。2N3467
Microchip / Microsemi · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，采用 TO-39-3 封装。2N335
Microchip / Microsemi · 封装：TO-5-3
该型号为晶体管，采用 TO-5-3 封装。Jantx2N3792
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。2N5321
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。Jantx2N3055
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。BC857CE6327HTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 250 mV，采用 SOT-23-3 封装。2N6308
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。2N5384
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。Jantx2N3810U
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。2N2222Ae4
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。