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分立与功率器件

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199,570 条型号记录
每页 20 条

TSB772CK B0G

Taiwan Semiconductor · 封装：TO-126-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 30 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 TO-126-3 封装。
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MMSTA14T146

ROHM Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.000282 oz。
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TSC2411CX RFG

Taiwan Semiconductor · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-23-3 封装。
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2SD1758TLP

ROHM Semiconductor · 封装：$0.434

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 32 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 2 A，采用 $0.434 封装。
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QSL11TR

ROHM Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 1 A。
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2N336

Microchip / Microsemi · 封装：TO-5-3

该型号为晶体管，采用 TO-5-3 封装。
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QSL9TR

ROHM Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V、集电极－基极电压（VCBO） 15 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 1.5 A。
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FML9T148

ROHM Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V、集电极－基极电压（VCBO） 15 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 1.5 A。
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2SB1308T100Q

ROHM Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 3 A。
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UMZ8NTR

ROHM Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V, 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 15 V, 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、最大直流集电极电流 0.15 A。
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2SC5729T106Q

ROHM Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.5 A。
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2SCR372PT100Q

ROHM Semiconductor · 封装：MPT-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 120 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、增益带宽积（fT） 220 MHz、最大直流电流增益（hFE） 390 mA，采用 MPT-3 封装。
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2SD1963T100R

ROHM Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 3 A。
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