芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

199,570 条型号记录

每页 20 条

US6X5TR

ROHM Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V、集电极－基极电压（VCBO） 15 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 2 A。

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TSB772CK

Taiwan Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。

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2SD1898T100P

ROHM Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1 A。

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2SB1260T100P

ROHM Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1 A。

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BCX70KT116

ROHM Semiconductor · 封装：SST-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.55 V，采用 SST-3 封装。

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EMT3T2R

ROHM Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.15 A。

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2SC5161TLB

ROHM Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 400 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、最大直流集电极电流 2 A。

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SSTA13T116

ROHM Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、最大直流集电极电流 0.3 A。

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QST5TR

ROHM Semiconductor · 封装：SMT-6

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 30 V、集电极－基极电压（VCBO） - 30 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 180 mV，采用 SMT-6 封装。

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2SD1766T100Q

ROHM Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 32 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 2.5 A。

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QSX4TR

ROHM Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 2 A。

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2SB1308T100R

ROHM Semiconductor · 封装：MPT-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 20 V、集电极－基极电压（VCBO） - 30 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.45 V，采用 MPT-3 封装。

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UMX3NTR

ROHM Semiconductor · 封装：TUMT-6

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 TUMT-6 封装。

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US6T5TR

ROHM Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 2 A。

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QSX6TR

ROHM Semiconductor · 封装：SMT-6

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 140 mV，采用 SMT-6 封装。

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SST6427T116

ROHM Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 12 V、最大直流电流增益（hFE） 10000 at 10 mA, 5 V。

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2SA2092TLQ

ROHM Semiconductor · 封装：TSMT-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V、集电极－基极电压（VCBO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 200 mV，采用 TSMT-3 封装。

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2N1701

Microchip / Microsemi · 封装：TO-8-3

该型号为晶体管，采用 TO-8-3 封装。

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QSZ1TR

ROHM Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V、集电极－基极电压（VCBO） 15 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 2 A。

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2N2218A

Microchip / Microsemi · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，采用 TO-39-3 封装。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。