BCW71T116
ROHM Semiconductor · 封装：GK1-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 GK1-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录2SC2413KT146Q
ROHM Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.1 V，采用 SC-59-3 封装。BC848CT116
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A。2SD1760TLP
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 3 A。FMW4T148
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-5
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 120 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-23-5 封装。2SCR372PT100R
ROHM Semiconductor · 封装：MPT-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 120 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、增益带宽积（fT） 220 MHz、最大直流电流增益（hFE） 390 mA，采用 MPT-3 封装。BCW70T116
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、增益带宽积（fT） 250 MHz、最大直流电流增益（hFE） 500、高度 0.95 mm，采用 SOT-23-3 封装。BCX70JT116
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.55 V，采用 SOT-23-3 封装。2SC4132T100P
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 120 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 2 V。US6X4TR
ROHM Semiconductor · 封装：Reel
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 2 A，采用 Reel 封装。BCX5610H6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-89-4
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 56-10 BCX H6327 SP001125480，采用 SOT-89-4 封装。2SA1727TLQ
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 400 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、最大直流集电极电流 0.5 A。QST7TR
ROHM Semiconductor · 封装：SMT-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 30 V、集电极－基极电压（VCBO） - 30 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 200 mV，采用 SMT-6 封装。QST6TR
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V、集电极－基极电压（VCBO） 15 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 2 A。2SD2098T100S
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 5 A。2SB1189T100Q
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、最大直流集电极电流 - 0.7 A，采用 SOT-89-3 封装。2SC5659T2LN
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.05 A。2SB1184TLP
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 3 A。BCW32T116
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、高度 0.95 mm、长度 2.9 mm、宽度 1.3 mm、单件重量 0.000282 oz。MMST5088T146
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 35 V、发射极－基极电压（VEBO） 4.5 V、集电极－发射极饱和电压 300 mV。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。