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199,570 条型号记录
每页 20 条

BC548C B1G

Taiwan Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-92-3 封装。
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BC817-25W RF

Taiwan Semiconductor · 封装：SOT-323-3

该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.000176 oz，采用 SOT-323-3 封装。
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BC817-25T116

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、增益带宽积（fT） 150 MHz、最大直流电流增益（hFE） 400、连续集电极电流 800 mA、最小直流电流增益（hfe） 160，采用 SOT-23-3 封装。
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2SCR512PT100

ROHM Semiconductor · 封装：MPT-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、增益带宽积（fT） 320 MHz、最大直流电流增益（hFE） 500 mA，采用 MPT-3 封装。
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SST6839T116

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 40 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 500 mV，采用 SOT-23-3 封装。
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2SD2211T100R

ROHM Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 160 V、集电极－基极电压（VCBO） 160 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 2 V。
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2SC2413KT146P

ROHM Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.1 V。
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IMT1AT108

ROHM Semiconductor · 封装：SMT-6

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.5 V，采用 SMT-6 封装。
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IMX1T108

ROHM Semiconductor · 封装：SC-74-6

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 SC-74-6 封装。
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IMX5T108

ROHM Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 11 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V、最大直流集电极电流 50 mA。
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2SC4617EBTLS

ROHM Semiconductor · 封装：EMT-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、增益带宽积（fT） 180 MHz、最大直流电流增益（hFE） 390 mA，采用 EMT-3 封装。
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BC807-25T116

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.7 V，采用 SOT-23-3 封装。
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2SA1774TLS

ROHM Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.15 A。
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