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199,570 条型号记录
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BC807-25W RFG

Taiwan Semiconductor · 封装:SOT-323-3

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) - 45 V、集电极-基极电压(VCBO) - 50 V、发射极-基极电压(VEBO) - 5 V,采用 SOT-323-3 封装。

BC337-25 B1G

Taiwan Semiconductor · 封装:TO-92-3

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 45 V、集电极-基极电压(VCBO) 50 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V,采用 TO-92-3 封装。

BC337-40 B1G

Taiwan Semiconductor · 封装:TO-92-3

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 45 V、集电极-基极电压(VCBO) 50 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V,采用 TO-92-3 封装。

TSC2411CX

Taiwan Semiconductor

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN。

BC858A-HF

Comchip Technology · 封装:SOT-23-3

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) - 30 V、集电极-基极电压(VCBO) - 30 V、发射极-基极电压(VEBO) - 5 V,采用 SOT-23-3 封装。

BC548A B1G

Taiwan Semiconductor · 封装:TO-92-3

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 30 V、集电极-基极电压(VCBO) 30 V、发射极-基极电压(VEBO) 6 V,采用 TO-92-3 封装。

BC850CW RF

Taiwan Semiconductor · 封装:SOT-323-3

该型号为晶体管,主要参数包括单件重量 0.000176 oz,采用 SOT-323-3 封装。

BC847BW RF

Taiwan Semiconductor · 封装:SOT-323-3

该型号为晶体管,主要参数包括单件重量 0.000176 oz,采用 SOT-323-3 封装。

BC550C B1G

Taiwan Semiconductor · 封装:TO-92-3

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 45 V、集电极-基极电压(VCBO) 50 V、发射极-基极电压(VEBO) 6 V,采用 TO-92-3 封装。

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