MMST3904-G
Comchip Technology
该型号为晶体管。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Comchip Technology
该型号为晶体管。Taiwan Semiconductor · 封装:SOT-323-3
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) - 45 V、集电极-基极电压(VCBO) - 50 V、发射极-基极电压(VEBO) - 5 V,采用 SOT-323-3 封装。Taiwan Semiconductor
该型号为晶体管。Taiwan Semiconductor · 封装:TO-92-3
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 45 V、集电极-基极电压(VCBO) 50 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V,采用 TO-92-3 封装。Taiwan Semiconductor · 封装:TO-92-3
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 45 V、集电极-基极电压(VCBO) 50 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V,采用 TO-92-3 封装。Taiwan Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN。Comchip Technology · 封装:SOT-23-3
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) - 30 V、集电极-基极电压(VCBO) - 30 V、发射极-基极电压(VEBO) - 5 V,采用 SOT-23-3 封装。Comchip Technology
该型号为晶体管。Taiwan Semiconductor
该型号为晶体管。Comchip Technology
该型号为晶体管。Taiwan Semiconductor
该型号为晶体管。Taiwan Semiconductor
该型号为晶体管。Taiwan Semiconductor · 封装:TO-92-3
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 30 V、集电极-基极电压(VCBO) 30 V、发射极-基极电压(VEBO) 6 V,采用 TO-92-3 封装。Taiwan Semiconductor
该型号为晶体管。Taiwan Semiconductor
该型号为晶体管。Taiwan Semiconductor · 封装:SOT-323-3
该型号为晶体管,主要参数包括单件重量 0.000176 oz,采用 SOT-323-3 封装。Taiwan Semiconductor
该型号为晶体管。Taiwan Semiconductor · 封装:SOT-323-3
该型号为晶体管,主要参数包括单件重量 0.000176 oz,采用 SOT-323-3 封装。Taiwan Semiconductor
该型号为晶体管。Taiwan Semiconductor · 封装:TO-92-3
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 45 V、集电极-基极电压(VCBO) 50 V、发射极-基极电压(VEBO) 6 V,采用 TO-92-3 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。