BC846AW RFG
Taiwan Semiconductor
该型号为晶体管。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录BC847AW RFG
Taiwan Semiconductor
该型号为晶体管。BC550B B1G
Taiwan Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-92-3 封装。BC850CW RFG
Taiwan Semiconductor
该型号为晶体管。BC550A A1G
Taiwan Semiconductor
该型号为晶体管。BC857B RFG
Taiwan Semiconductor
该型号为晶体管。BC337-40 A1G
Taiwan Semiconductor
该型号为晶体管。BC847A RFG
Taiwan Semiconductor
该型号为晶体管。BC849AW RF
Taiwan Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.000176 oz，采用 SOT-323-3 封装。BC549C B1G
Taiwan Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-92-3 封装。BC546C B1G
Taiwan Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-92-3 封装。BC857C RF
Taiwan Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 SOT-23-3 封装。BC550A B1G
Taiwan Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-92-3 封装。BC549A B1G
Taiwan Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-92-3 封装。BC846A RFG
Taiwan Semiconductor
该型号为晶体管。MMDT3904-G
Comchip Technology
该型号为晶体管。BC848A RF
Taiwan Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。BC858C RF
Taiwan Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。BC848AW-G
Comchip Technology
该型号为晶体管。BC858AW-G
Comchip Technology · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 30 V、集电极－基极电压（VCBO） - 30 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 SOT-323-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。