BC848CW-G
Comchip Technology
该型号为晶体管。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录BC807-16W RFG
Taiwan Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 SOT-323-3 封装。BC850BW RFG
Taiwan Semiconductor
该型号为晶体管。BC848CW RFG
Taiwan Semiconductor
该型号为晶体管。BC848BW RFG
Taiwan Semiconductor
该型号为晶体管。BC817-40W RF
Taiwan Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.000176 oz，采用 SOT-323-3 封装。BC337-16 B1G
Taiwan Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92-3 封装。BC337-16 A1G
Taiwan Semiconductor
该型号为晶体管。BC817-16W RF
Taiwan Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.000176 oz，采用 SOT-323-3 封装。BC850BW RF
Taiwan Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.000176 oz，采用 SOT-323-3 封装。BC848AW RF
Taiwan Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.000176 oz，采用 SOT-323-3 封装。BC857C-HF
Comchip Technology · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 SOT-23-3 封装。BC856A-HF
Comchip Technology · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 65 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 SOT-23-3 封装。BC549A A1G
Taiwan Semiconductor
该型号为晶体管。BC547C B1G
Taiwan Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-92-3 封装。TSC5304EDCP ROG
Taiwan Semiconductor · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 700 V、发射极－基极电压（VEBO） 9 V，采用 TO-252-3 封装。TSA1765CW RPG
Taiwan Semiconductor · 封装：SOT-223-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 560 V、集电极－基极电压（VCBO） - 560 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V，采用 SOT-223-3 封装。BC549B B1G
Taiwan Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-92-3 封装。PZT3904-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-223-4 封装。BC546A A1G
Taiwan Semiconductor
该型号为晶体管。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。