MMBT4401HLT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录BCP54TF
Nexperia · 封装：SC-73-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SC-73-4 封装。HN1C03FU-A(TE85L,F
Toshiba · 封装：SMT-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 20 V，采用 SMT-6 封装。BC817K-40VL
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 700 mV，采用 SOT-23-3 封装。HN2C01FU-Y(TE85L,F
Toshiba · 封装：SMT-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SMT-6 封装。RN1901,LF(CT
Toshiba · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V，采用 SOT-363-6 封装。BCM857QASZ
Nexperia · 封装：DFN-1010B-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 6 V，采用 DFN-1010B-6 封装。NSS20200DMTTBG
ON Semiconductor · 封装：WDFN-6
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、集电极－发射极饱和电压 0.25 V、最小直流电流增益（hfe） 220，采用 WDFN-6 封装。NSS60200DMTTBG
ON Semiconductor · 封装：WDFN-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V、集电极－基极电压（VCBO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.365 V，采用 WDFN-6 封装。BC847CDXV6T1H
ON Semiconductor
该型号为晶体管。2SC4211-7-TL-E
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。PBSS4230QAZ
Nexperia · 封装：DFN-1010D-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 DFN-1010D-3 封装。2SC5065-O(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V，采用 SC-70-3 封装。BC807K-40R
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 700 mV，采用 SOT-23-3 封装。PMSTA3904,115
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，采用 SOT-323-3 封装。BCP52-16TF
Nexperia · 封装：SC-73-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V、集电极－基极电压（VCBO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 SC-73-4 封装。BCP54-10TF
Nexperia · 封装：SC-73-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SC-73-4 封装。BCP51-10TF
Nexperia · 封装：SC-73-4
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 45 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 SC-73-4 封装。MMBTA92HLT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管。CPH3216-TL-EX
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。