PRMH11Z
Nexperia · 封装：DFN-1412-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、集电极－发射极饱和电压 150 mV，采用 DFN-1412-6 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录2N5051
Central Semiconductor · 封装：TO-66-2
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 150 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-66-2 封装。BCX51-10F
Nexperia · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 SOT-89-3 封装。QSX2TR
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 5 A。QST2TR
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V、集电极－基极电压（VCBO） 15 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 6 A。NSVMSB1218A-RT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。PBHV9540XX
Nexperia · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 400 V、集电极－基极电压（VCBO） - 400 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V，采用 SOT-89-3 封装。PRMD2Z
Nexperia · 封装：DFN-1412-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、集电极－发射极饱和电压 150 mV，采用 DFN-1412-6 封装。CJD31C TR13
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括商品名称 DPAK POWER、型号别名 CJD31C PBFREE TR13。NST856BF3T5G
ON Semiconductor · 封装：SOT-1123-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-1123-3 封装。NSV40301MDR2G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。SMMBTA56WT3G
ON Semiconductor · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 4 V，采用 SC-70-3 封装。40250
Central Semiconductor · 封装：TO-66-2
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-66-2 封装。2DA1213YQ-13
Diodes Incorporated · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V，采用 SOT-89-3 封装。MMDT4401Q-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-363-6 封装。FCX491QTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 SOT-89-3 封装。SMBT1504T3G
ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。BCM847QASZ
Nexperia · 封装：DFN-1010B-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 400 mV，采用 DFN-1010B-6 封装。PRMD3Z
Nexperia · 封装：DFN-1412-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、集电极－发射极饱和电压 150 mV，采用 DFN-1412-6 封装。CJD45H11 TR13
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括商品名称 DPAK POWER。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。