NSVBCP53-16T3G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。分立与功率器件
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
199,570 条型号记录BC817DPNF
Nexperia · 封装：TSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 TSOP-6 封装。BUJ100LR,126
WeEn Semiconductors · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 700 V、集电极－发射极饱和电压 0.24 V，采用 TO-92-3 封装。BCW60B,235
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 32 V、集电极－基极电压（VCBO） 32 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-23-3 封装。BCX18,235
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.5 A，采用 SOT-23-3 封装。PBSS5160V,115
Nexperia · 封装：SSmini-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 SSmini-6 封装。PBSS5330PA,135
Nexperia · 封装：DFN-2020-3
该型号为晶体管，采用 DFN-2020-3 封装。PBSS5350SS,115
Nexperia · 封装：SO-8
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 2.7 A，采用 SO-8 封装。NSVT45011MW6T3G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、认证等级 AEC-Q101。BUJ100,126
WeEn Semiconductors · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 700 V、集电极－发射极饱和电压 0.24 V，采用 TO-92-3 封装。BC69-25PA,115
Nexperia · 封装：DFN-2020-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 20 V、集电极－基极电压（VCBO） - 32 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 500 mV，采用 DFN-2020-3 封装。NSVBCW32LT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。PBSS2515VS,315
Nexperia · 封装：SOT-666-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、认证等级 AEC-Q101，采用 SOT-666-6 封装。SBC808-25LT1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.5 A，采用 SOT-23-3 封装。BUJD203AX,127
WeEn Semiconductors · 封装：TO-220F-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 425 V、集电极－基极电压（VCBO） 850 V、集电极－发射极饱和电压 0.29 V，采用 TO-220F-3 封装。BUJ103AX,127
WeEn Semiconductors · 封装：SOT-186A-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 700 V、集电极－发射极饱和电压 0.25 V，采用 SOT-186A-3 封装。NSS60200SMTTBG
ON Semiconductor · 封装：WDFN-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V、集电极－基极电压（VCBO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.365 V，采用 WDFN-6 封装。MCH6122-TL-E
ON Semiconductor
该型号为晶体管。SCH2202-TL-E
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。NSV60101DMR6T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-74-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.143 V，采用 SC-74-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。