PBSS4350D,135
Nexperia · 封装：TSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 3 A，采用 TSOP-6 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录BSR30,115
Nexperia · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 70 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 SOT-89-3 封装。BUJD105AD,118
WeEn Semiconductors · 封装：DPAK-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 700 V、集电极－发射极饱和电压 0.35 V，采用 DPAK-3 封装。2SC4134T-E
ON Semiconductor · 封装：TO-251-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、连续集电极电流 1 A、耗散功率（Pd） 800 mW、单件重量 0.139332 oz，采用 TO-251-3 封装。2SB1203T-E
ON Semiconductor · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、连续集电极电流 5 A、最小直流电流增益（hfe） 70、耗散功率（Pd） 1 W，采用 TO-252-3 封装。BCV63B,215
Nexperia · 封装：SOT-143B-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 6 V, 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 6 V, 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-143B-4 封装。BC69-16PA,115
Nexperia · 封装：DFN-2020-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 20 V、集电极－基极电压（VCBO） - 32 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 500 mV，采用 DFN-2020-3 封装。BCP53F
Nexperia · 封装：SOT-223-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 SOT-223-3 封装。BUJD203AD,118
WeEn Semiconductors · 封装：DPAK-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 425 V、集电极－基极电压（VCBO） 850 V、集电极－发射极饱和电压 0.29 V，采用 DPAK-3 封装。BUJD203A,127
WeEn Semiconductors · 封装：TO-220AB-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 425 V、集电极－基极电压（VCBO） 850 V、集电极－发射极饱和电压 0.29 V，采用 TO-220AB-3 封装。2SC4134T-TL-E
ON Semiconductor · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、连续集电极电流 1 A、耗散功率（Pd） 800 mW、单件重量 0.063493 oz，采用 TO-252-3 封装。NSS30070MR6T1G
ON Semiconductor · 封装：SC-74-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 SC-74-6 封装。PBSS5230PAP,115
Nexperia · 封装：DFN-2020-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 30 V、集电极－基极电压（VCBO） - 30 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V、集电极－发射极饱和电压 - 75 mV，采用 DFN-2020-6 封装。SNSS30201MR6T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、认证等级 AEC-Q101。MCH3144-TL-E
ON Semiconductor
该型号为晶体管。NMB2227AX
Nexperia · 封装：TSOP-6
该型号为晶体管，采用 TSOP-6 封装。NSVMMBT5088LT3G
ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括增益带宽积（fT） 40 MHz、认证等级 AEC-Q101、单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。PBSS4160DSZ
Nexperia · 封装：TSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q101，采用 TSOP-6 封装。SNSS40600CF8T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、认证等级 AEC-Q101。PBSS305PD,115
Nexperia · 封装：TSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 2 A，采用 TSOP-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。