BC856AW,115
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-323-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录2SB1690TL
ROHM Semiconductor · 封装：TSMT-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 12 V、集电极－基极电压（VCBO） - 15 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 120 mV，采用 TSMT-3 封装。2SA1797T100Q
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、最大直流集电极电流 - 5 A。BF720,115
Nexperia · 封装：SOT-223-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-223-3 封装。PMSTA92,115
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-323-3 封装。PBSS5350X,135
Nexperia · 封装：TO-243-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、最大直流集电极电流 - 5 A，采用 TO-243-3 封装。NJVNJD2873T4G
ON Semiconductor · 封装：DPAK-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.3 V，采用 DPAK-3 封装。JAN2N3019S
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。BC847SH6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 200 mV，采用 SOT-363-6 封装。BUJ103A,127
WeEn Semiconductors · 封装：TO-220AB-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 700 V、集电极－发射极饱和电压 0.25 V，采用 TO-220AB-3 封装。BUJ105AD,118
WeEn Semiconductors · 封装：DPAK-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 700 V、集电极－发射极饱和电压 0.3 V，采用 DPAK-3 封装。PBSS4220PANSX
Nexperia · 封装：DFN-2020D-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q101，采用 DFN-2020D-6 封装。BSR30F
Nexperia · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 SOT-89-3 封装。PBSS4350SSJ
Nexperia · 封装：SO-8
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 240 mV，采用 SO-8 封装。2SA1298-Y(TE85L,F)
Toshiba · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 SC-59-3 封装。PBSS5220V,115
Nexperia · 封装：SSmini-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 2 A，采用 SSmini-6 封装。BUJ303AX,127
WeEn Semiconductors · 封装：TO-220F-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 500 V、集电极－发射极饱和电压 0.35 V、最大直流集电极电流 5 A，采用 TO-220F-3 封装。PBSS9110D,115
Nexperia · 封装：TSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 TSOP-6 封装。PBSS5350TVL
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 SOT-23-3 封装。2PA1774SM,315
Nexperia · 封装：DFN-1006-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 DFN-1006-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。