NSVT45010MW6T3G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录NSVBC818-40LT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。CMST5089 TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-323
该型号为晶体管，主要参数包括商品名称 SUPERmini、型号别名 CMST5089 PBFREE TR，采用 SOT-323 封装。ZXTD6717E6QTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-26-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12～15 V、集电极－基极电压（VCBO） 15 V, 12 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 SOT-26-6 封装。2SC3646S-P-TD-E
ON Semiconductor
该型号为晶体管。PEL-TT3034
ON Semiconductor
该型号为晶体管。DXTN07100BP5Q-13
Diodes Incorporated · 封装：PowerDI-5
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.23 V，采用 PowerDI-5 封装。DXTP3C100PSQ-13
Diodes Incorporated · 封装：PowerDI5060-8
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 100 V、集电极－基极电压（VCBO） - 100 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V，采用 PowerDI5060-8 封装。NSVMMBT4401WT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。FZT489QTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 SOT-223-3 封装。ZXTN19020DZQTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 70 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 SOT-89-3 封装。NSVBA143ZDXV6T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.25 V，采用 SOT-563-6 封装。NSVBC143ZDXV6T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.25 V，采用 SOT-563-6 封装。NSVBC124XDXV6T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.25 V，采用 SOT-563-6 封装。NSVMMUN2136LT1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.25 V，采用 SOT-23-3 封装。CMLT5087EM TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-563
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 CMLT5087EM PBFREE TR，采用 SOT-563 封装。2SA2126-S-TL-E
ON Semiconductor
该型号为晶体管。2SC2713-GRTE85LF
Toshiba · 封装：SOT-346-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 120 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.3 V，采用 SOT-346-3 封装。2PB709ART,235
Nexperia · 封装：TO-236AB-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 TO-236AB-3 封装。2SD1060R-1E
ON Semiconductor
该型号为晶体管。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。