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Jantx2N3741

Microchip / Microsemi · 封装：TO-66-2

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-66-2 封装。
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2N5154

Microchip / Microsemi · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5.5 V，采用 TO-39-3 封装。
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Jantx2N3700UB

Microchip / Microsemi · 封装：UB-4

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 140 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 UB-4 封装。
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Jantxv2N2222AUB

Microchip / Microsemi · 封装：Si

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 Si 封装。
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Jantx2N2222AUB

Microchip / Microsemi · 封装：UB-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 UB-3 封装。
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KSH44H11TF

ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-252-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1 V、最大直流集电极电流 8 A，采用 TO-252-3 封装。
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Jantxv2N2907AUB

Microchip / Microsemi

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V。
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Jantx2N2222A

Microchip / Microsemi · 封装：TO-18-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-18-3 封装。
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NSVDTA144EET1G

ON Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。
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CMKT2907AG TR

Central Semiconductor · 封装：SOT-363

该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 CMKT2907AG PBFREE TR，采用 SOT-363 封装。
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CMPT3646 TR

Central Semiconductor · 封装：SOT-23

该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 CMPT3646 PBFREE TR，采用 SOT-23 封装。
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NSVMMUN2114LT3G

ON Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。
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2N1480

Central Semiconductor · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 55 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 1.4 V、最大直流集电极电流 1.5 A，采用 TO-39-3 封装。
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MPSA77 APM

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V，采用 TO-92-3 封装。
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CMXT2207 TR

Central Semiconductor · 封装：SOT-26

该型号为晶体管，主要参数包括商品名称 SUPERmini、型号别名 CMXT2207 PBFREE TR，采用 SOT-26 封装。
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NSVS50030SB3T1G

ON Semiconductor · 封装：CPH-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 185 mV，采用 CPH-3 封装。
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2SB1698T100

ROHM Semiconductor · 封装：MPT-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 30 V、集电极－基极电压（VCBO） - 30 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 200 mV，采用 MPT-3 封装。
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2SB1386T100R

ROHM Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 20 V、集电极－基极电压（VCBO） - 30 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、最大直流集电极电流 5 A。
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